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富士电机计划扩大功率半导体业务
2013/8/29 13:21:44   来源:日经技术在线  

富士电机宣布,计划在2015年度使功率半导体业务的销售额从2012年度的755亿日元扩大至996亿日元。2015年度营业损益也力争从2012年度的亏损19亿日元转为盈利70亿日元。目标达成的话,营业利润率将达到7.0%。

2013~2015年度的研发费方面,计划由2010~2012年度的230亿日元增至300亿日元,主要用于开发SiC器件和新一代功率半导体。2013~2015年度的设备投资额计划从2010~2012年度的350亿日元减至330亿日元,主要用于引进SiC器件的生产设备、在津轻工厂(日本青森县五所川原市)导入IGBT生产设备以及2014年度在松本工厂(日本长野县松本市)建设新厂房。

为了扩大业务并改善利润率,富士电机将扩大在海外的设计、生产及采购规模。继2013年1月在深圳设立设计中心之后,还计划2013年10月在台湾及德国设立设计中心。海外生产比例方面,前工序将从目前的10%提高至20%,后工序将从35%提高至60%。部件及材料的海外采购率也将从31%提高至60%。

此外,富士电机还将在国内外强化生产体制。负责前工序的山梨制作所(山梨县南阿尔贝斯市)将于2013年10月启动可处理8英寸晶圆的生产线。从瑞萨电子收购的津轻工厂将增加富士电机的功率半导体的产量。后工序方面,将增强深圳工厂的产能。

今后富士电机将致力于面向新能源、工业设备、家电、纯电动车及混合动力车用途的IGBT,以及面向节能电源市场的6英寸SiC器件等产品。6英寸SiC器件预定2013年10月开始在松本工厂生产。


关键词:富士电机  功率半导体  
(编辑:sjing
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